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兩岸半導體技術(shù)技術(shù)合作對接 三大創(chuàng)新技術(shù)能否革新IC產(chǎn)業(yè)


  來源: 儀器儀表商情網(wǎng) 時間:2015-11-16 作者:Stanford
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采用FinFET設計的晶片規(guī)模會很大,Cadence將如何應付更大、更復雜的晶片設計?

幾年前,工程師在設計IC時會用2,0003,000萬閘(gate)?,F(xiàn)在如果使用FinFET,尺寸會變得更小,速度變得更快,能夠放在一個晶片上的配置顯著增加?,F(xiàn)在,SoC設計已進入到1億至1.2億閘的時代。當采用FinFET制程時,設計規(guī)模將變得更大。

以前,一個分區(qū)模組(partition)的容量通常為0.7百萬到1百萬的閘。但是現(xiàn)在,在晶片整體具有1.2億閘的情況下,你需要上百個分區(qū)模組,而且管理也變得非常復雜。所以我們需要更大的容量,以及能夠承載更大容量的先進技術(shù)。

我們要做的就是設計一個能夠大規(guī)模平行運算的架構(gòu)使它能夠處理盡可能多的分區(qū)模組或閘,并且將它們聚集到至少一個分區(qū)模組里以同步運作。晶片變得越來越智慧并且需求量越來越大,我們有技能、技術(shù)和多種方式來處理容量很大的分區(qū)模組。

我們必須在核心演算法上做改變,因為這些FinFET晶片的特性跟以前大不相同,比如閘的結(jié)構(gòu)、密度等。為了運算功率或FinFET晶片的面積,以前的一些核心演算法也增加它的功能來支持平行運算。

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