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在泰克先進半導體開放實驗室，2024年8月份，我們有幸見證了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化鎵（GaN）功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并...

當下，晶體管小型化趨勢不可逆轉(zhuǎn)，國內(nèi)外的晶圓企業(yè)都在不斷探索新材料和技術(shù)，爭先恐后，想要率先提升芯片性能，推進國內(nèi)先進半導體技術(shù)發(fā)展。芯片供電不同于其...

隨著功率半導體器件的發(fā)展，半導體設(shè)備的發(fā)展也不斷興起。國家重要會議提出，到 2035 年要實現(xiàn)高水平科技自立自強。從半導體設(shè)備行業(yè)的國產(chǎn)替代角度而言，目前我...

功率半導體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來，我國功率半導體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水...

研究背景在半導體器件領(lǐng)域中，場效應(yīng)管（FET）以其獨特的導電特性在電路中發(fā)揮著不可或缺的作用，其核心在于利用電壓來精準調(diào)控電流流動，包括柵極（Gate）、源...

前言為實現(xiàn)我國的‘碳達峰、碳中和’目標，電氣化替代成為關(guān)鍵策略。通過功率半導體，我們構(gòu)建了高效、可控的能源網(wǎng)絡(luò)，降低能耗和碳排放。功率半導體在計算機、...

半導體封裝基板檢測的痛點半導體封裝基板需要進行熱應(yīng)力測試。特別是使用在汽車和手機上的基板，有時會在嚴酷的環(huán)境下使用，所以對其測試要求很高。但是，如在基...

在競爭異常激烈的半導體行業(yè)中，擁有優(yōu)化的測試架構(gòu)從未如此重要。在物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的推動下，產(chǎn)品復雜度呈指數(shù)級增長；與此同時，來自市場的壓力繼續(xù)縮短產(chǎn)品上市時...

半導體芯片是電子產(chǎn)品的核心，新能源汽車、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破不斷帶來新應(yīng)用場景，半導體需求不斷增長，上游半導體材料需求也持續(xù)增加，國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SE...

半導體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備有刻蝕、薄膜沉積、清洗、濕制、封裝和測試、拋光、硅晶圓制造等設(shè)備，這些精密生產(chǎn)設(shè)備對工藝要求很高，例如對供電的穩(wěn)定性和質(zhì)量要求，對溫...

半導體芯片是電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，在人工智能、智能駕駛等應(yīng)用的驅(qū)動下，芯片電路設(shè)計正在變得越來越復雜，不但晶體管數(shù)量增大，芯片中的復雜子系統(tǒng)數(shù)量也在不斷...

研究背景從古代的烽火臺到如今的光通信領(lǐng)域，光作為一種可以承載信息的載體一直被廣泛應(yīng)用。其中，光電探測器基于光電效應(yīng)的原理，可將光信號轉(zhuǎn)換為電信號（響應(yīng)...

圖片群芯微電子多年來專注于光電傳感、模擬集成電路、數(shù)字集成電路及功率器件的研發(fā)、制造投入，致力于創(chuàng)造綠色環(huán)保、高效率、低功耗的半導體器件。在芯片領(lǐng)域，...

圖片集成電路封裝技術(shù)是在現(xiàn)代電子產(chǎn)品微型化、高密度和超薄化的發(fā)展趨勢下，為了滿足電子產(chǎn)品小型化、輕量化等要求而出現(xiàn)的一種新型技術(shù)。掌握先進封裝技術(shù)，是...

忱芯科技作為碳化硅賽道技術(shù)黑馬，以碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)作為核心支點，制造高性能、高可靠碳化硅核心功率部件產(chǎn)品和半導體自動化量產(chǎn)測試系統(tǒng)。為滿足國內(nèi)日益高漲...

巨哥科技為半導體檢測和工藝控制提供了多種技術(shù)手段，如膜厚測量、等離子監(jiān)控、化學成分分析、溫度監(jiān)控、鍵合對準、缺陷和失效分析等。在國產(chǎn)化趨勢下，我們歡迎...

研究背景電子測量儀器作為基礎(chǔ)科研工具，是國家科研自主可控的重要環(huán)節(jié)。在半導體器件、超導材料和光電器件等測試領(lǐng)域中，為了更全面地檢測器件特性，提升整個測...

第三代半導體材料碳化硅具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場強度高、電子飽和遷移速率大、電子密度高、熱導率高、介電常數(shù)低，具備高頻高效、耐高壓、耐高溫，以及抗輻...

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡...

羅德與施瓦茨（以下簡稱“RS”公司）為在片器件的完整射頻性能表征提供測試解決方案，該方案結(jié)合了RS強大的ZNA矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和FormFactor先進的工程探針臺系統(tǒng)...