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為中國半導(dǎo)體蓄力!紫光300億美元半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地動工


時間:2017-02-13 作者:
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 212日,在江蘇省委、省政府和南京市委、市政府主要領(lǐng)導(dǎo)的主持見證下,江蘇省2017年重大項目建設(shè)集中啟動,總投資300億元美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地和總投資300億元人民幣的紫光IC國際城項目正式宣布開工。這是紫光集團(tuán)繼20161230日武漢長江存儲項目開工后,時隔42天又一“航母級”項目拓土動工。


江蘇省委書記、省人大常委會主任李強(qiáng),省委副書記、省長石泰峰,省政協(xié)主席蔣定之,省委副書記、南京市委書記吳政隆,省委常委、常務(wù)副省長黃莉新,南京市市長繆瑞林等省市主要領(lǐng)導(dǎo)親臨重大項目推進(jìn)會現(xiàn)場,李強(qiáng)書記詳細(xì)了解紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目的規(guī)劃建設(shè)情況。紫光集團(tuán)董事長趙偉國作為唯一的重點(diǎn)企業(yè)代表發(fā)言,他表示:“紫光肩負(fù)國家使命,要以在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?yàn)橹袊a(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)突破和崛起為己任,以不破樓蘭終不還的堅強(qiáng)決心,踏實(shí)努力做好中國自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)?!?/span>


據(jù)悉,紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目由紫光集團(tuán)投資建設(shè),主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等,占地面積約1500畝。項目一期投資約100億美元,月產(chǎn)芯片10萬片。項目達(dá)產(chǎn)后,將有力地支撐我國在主流存儲器領(lǐng)域的跨越式發(fā)展。除投資額高達(dá)300億美元的芯片工廠建設(shè)以外,紫光集團(tuán)還將投資約300億人民幣建設(shè)配套的IC國際城,包含科技園、設(shè)計封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學(xué)校、商業(yè)設(shè)施、國際人才公寓等綜合配套設(shè)施。

關(guān)鍵詞:紫光 半導(dǎo)體生產(chǎn)基地 集成電路    瀏覽量:644

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