2.1.c描述中“8小時(shí)，RSD<1%”，目前國產(chǎn)全譜icp光譜儀可以達(dá)到這個(gè)穩(wěn)定性。

2.2描述中，“進(jìn)口ICP-OES采用高精度的MFC氣體質(zhì)量流量控制和恒溫光室設(shè)計(jì)”，目前國產(chǎn)儀器也已使用高精度的MFC進(jìn)行氣體流量控制，并且也有高精度的恒溫光室設(shè)計(jì)。

2、關(guān)于第10類儀器電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀

10.1.e 關(guān)于微波消解的描述，微波消解為ICP光譜樣品制備設(shè)備，跟ICP光譜儀器參數(shù)沒有關(guān)系。

10.2.1 描述中“國產(chǎn)產(chǎn)品僅采用平面光柵”是不對(duì)的，國產(chǎn)ICP全譜儀器同樣使用中階梯光柵作為分光元件。

10.2.1 描述中“國產(chǎn)產(chǎn)品光室恒溫精度±1℃”是不對(duì)的，國產(chǎn)ICP全譜儀器的光室恒溫精度同樣為±0.1℃。

10.3 描述中“國產(chǎn)設(shè)備均與進(jìn)口產(chǎn)品有較大差距，國產(chǎn)產(chǎn)品尚不能完全滿足采購技術(shù)要求”，其實(shí)國產(chǎn)儀器經(jīng)過多年發(fā)展，國產(chǎn)ICP全譜儀器完全可以滿足該技術(shù)需求;

10.1.a 和 10.1.b，關(guān)于檢測(cè)單元大于290000個(gè)和波長范圍：166-847nm的描述，儀器指向性太強(qiáng)，不符合招標(biāo)規(guī)范。國產(chǎn)ICP全譜檢測(cè)器單元已大于100萬像素，波長也可達(dá)到165nm~900nm，完全滿足招標(biāo)要求。

3、關(guān)于第5類儀器、第12類儀器原子吸收光譜儀