相較于臺(tái)積電的N3制造工藝已經(jīng)支持類似功能的FinFlex，由于N2依賴于GAAFET晶體管，因此NanoFlex能為臺(tái)積電提供了一些額外的控制：比如臺(tái)積電可以優(yōu)化通道寬度以提高性能和功率，然后構(gòu)建短單元（以提高面積和功率效率）或高單元（以提高15%的性能）。

時(shí)間方面，臺(tái)積電N2工藝將于2025年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，并于2025年下半年進(jìn)入大批量生產(chǎn)；性能增強(qiáng)型N2P和電壓增強(qiáng)型N2X將于2026年問(wèn)世；A16先進(jìn)制程預(yù)計(jì)將于2026年下半年推出。

臺(tái)積電市場(chǎng)展望：AI需求強(qiáng)勁，車用與工控疲軟

從市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢近日公布的2024年第一季全球前十大晶圓代工企業(yè)營(yíng)收排名來(lái)看，盡管AI相關(guān)HPC需求相當(dāng)強(qiáng)勁，TSMC第一季仍受到智能手機(jī)、NB等消費(fèi)性備貨淡季，營(yíng)收季減約4.1%，收斂至188.5億美元，由于其他競(jìng)業(yè)同樣面臨消費(fèi)淡季挑戰(zhàn)，因此市占維持在61.7%。第二季隨著主要客戶Apple進(jìn)入備貨周期，及AI服務(wù)器相關(guān)HPC芯片需求持續(xù)穩(wěn)健，有機(jī)會(huì)帶動(dòng)營(yíng)收呈個(gè)位數(shù)季成長(zhǎng)率走勢(shì)。

另有數(shù)據(jù)顯示，2024年前五個(gè)月，臺(tái)積電的營(yíng)收同比增長(zhǎng)27%，遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平，這表明臺(tái)積電的市場(chǎng)需求依然強(qiáng)勁。

目前臺(tái)積電占據(jù)著全球代工市場(chǎng)61%的市場(chǎng)份額，遠(yuǎn)超排名第二的三星的11%。這種市場(chǎng)主導(dǎo)地位使得臺(tái)積電在客戶中具有很高的吸引力，許多頂尖的芯片制造商，如Nvidia、AMD、蘋(píng)果和高通等，都是其長(zhǎng)期合作伙伴。

隨著AI技術(shù)迅速發(fā)展，AI芯片需求呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)。臺(tái)積電歐亞業(yè)務(wù)資深副總暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)侯永清指出，今年AI需求非常的強(qiáng)勁，手機(jī)跟PC業(yè)務(wù)也已經(jīng)開(kāi)始緩慢復(fù)蘇中，但是車用與工控需求仍稍微疲軟。

從數(shù)據(jù)來(lái)看，與去年相比，今年AI加速器增長(zhǎng)大約2.5倍；PC市場(chǎng)今年會(huì)有1-3%增長(zhǎng)；手機(jī)市場(chǎng)在經(jīng)歷兩年衰退后今年會(huì)增長(zhǎng)1-3%；車用芯片市場(chǎng)今年需求疲軟，業(yè)績(jī)預(yù)估衰退1-3%；IoT預(yù)估增長(zhǎng)7-9%，但相較過(guò)往年增幅20%是呈現(xiàn)下滑。

花旗指出，大多數(shù)AI GPU目前使用4/5/7納米工藝，隨著AI PC和智能手機(jī)的需求增長(zhǎng)，疊加芯片制造技術(shù)的逐漸成熟，預(yù)計(jì)其中的大多數(shù)將在2025年底前遷移到3納米工藝。而作為先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)頭羊，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2025年獲得更多3納米芯片訂單，特別是來(lái)自蘋(píng)果、高通和聯(lián)發(fā)科等客戶。屆時(shí)，臺(tái)積電3納米工藝的利用率將保持緊張狀態(tài)。

臺(tái)積電此前也表示，預(yù)計(jì)2024年的資本支出在280億至320億美元之間，預(yù)計(jì)2025年可能增至350億至400億美元，這些巨額預(yù)算主要用于2/3納米工藝的研發(fā)和生產(chǎn)。

臺(tái)積電通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略投資，已經(jīng)建立了堅(jiān)實(shí)的市場(chǎng)基礎(chǔ)。

全球擴(kuò)建產(chǎn)能，先進(jìn)工藝留在臺(tái)灣

臺(tái)積電在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)了世界上大多數(shù)最先進(jìn)的處理器，但近年來(lái)正在改變戰(zhàn)略，在將制造業(yè)務(wù)留在臺(tái)灣的同時(shí)，并在美國(guó)建立晶圓廠生產(chǎn)先進(jìn)芯片，在日本生產(chǎn)相當(dāng)先進(jìn)的處理器，并在歐洲生產(chǎn)專用芯片。

據(jù)了解，臺(tái)積電自2022年到2023年新建了五座工廠，今年在建有七座工廠，其中三個(gè)是晶圓廠、兩個(gè)是封裝廠，還有兩個(gè)海外晶圓廠，今年臺(tái)積電先進(jìn)制程占67%

在代工方面，在臺(tái)灣新建的新竹Fab 20和高雄Fab 22均為2nm晶圓廠，目前已開(kāi)始裝機(jī)，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)。

從全球來(lái)看，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州計(jì)劃投資650億美元興建三座尖端制程晶圓廠。其中，第一座晶圓廠已經(jīng)開(kāi)始裝機(jī)，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)4nm；2022年底動(dòng)工的第二座晶圓廠，預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)3nm；第三座晶圓廠還在規(guī)劃中，預(yù)計(jì)2030年之前進(jìn)入量產(chǎn)。

在日本熊本，臺(tái)積電計(jì)劃建設(shè)兩座晶圓廠，熊本第一座晶圓廠2022年4月動(dòng)工，預(yù)計(jì)今年第四季度量產(chǎn)22/28nm和12/16nm制程；熊本二廠預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)6/7nm制程。在德國(guó)臺(tái)積電將建16nm晶圓廠，預(yù)計(jì)今年第四季度動(dòng)工，2027年量產(chǎn)。

圍繞先進(jìn)封裝，臺(tái)積電也在加速擴(kuò)大CoWoS和SoIC產(chǎn)能。根據(jù)規(guī)劃，到2026年CoWoS生產(chǎn)線的年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過(guò)60%，到年底產(chǎn)能將是2023年的4倍。SoIC產(chǎn)能將比2023年增長(zhǎng)8倍，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)100%。

多管齊下，臺(tái)積電拉開(kāi)了其大膽路線圖的帷幕，在先進(jìn)工藝、先進(jìn)封裝、國(guó)際化布局層面勾勒了宏偉藍(lán)圖。但其也表示將最關(guān)鍵的開(kāi)發(fā)留在中國(guó)臺(tái)灣。