一、測(cè)試需求

隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展，功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。

在半導(dǎo)體功率器件行業(yè)突飛猛進(jìn)的同時(shí)，對(duì)應(yīng)的測(cè)試行業(yè)也得到了飛速的發(fā)展。這對(duì)于設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō)卻帶來(lái)了非常大的測(cè)試挑戰(zhàn),如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運(yùn)行在自己的電源產(chǎn)品中,我們需要了解功率器件的動(dòng)態(tài)特性：

二、測(cè)試平臺(tái)搭建

泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖,雙脈沖及多脈沖測(cè)試方案,集成強(qiáng)大的發(fā)生裝置數(shù)據(jù)測(cè)試裝置及軟件。用戶可以自定義測(cè)試條件,測(cè)試項(xiàng)目包含:

系統(tǒng)測(cè)試圖

三、測(cè)試說(shuō)明

采用雙脈沖法,用信號(hào)發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。

采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN TM的動(dòng)態(tài)參數(shù)。左下的測(cè)試提示Ic off是因?yàn)橛w凌的CoolGaN“完全沒(méi)有反向恢復(fù)電流,從測(cè)試數(shù)據(jù)中可以看到基于英飛凌的CoolGaN TM專用驅(qū)動(dòng)1EDF5673K下的CoolGaN TM IGO60R070D1速度還是非?？斓?。

四、方案配置

推薦解決方案：

泰克示波器MS054+ 5-wins +5-PWR+ TIVM02+TIVH08 +TCP0030A+IGBT town軟件

五、方案優(yōu)勢(shì)

可靠、可重復(fù)地測(cè)試IGBT及MOSFET (包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN )功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特征。

測(cè)量的特征包括開(kāi)啟、關(guān)閉、開(kāi)關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極驅(qū)動(dòng),開(kāi)關(guān)損耗等參數(shù)。

適用于用戶對(duì)測(cè)試環(huán)境的自定義。

全部使用泰克示波器及原廠電源探頭,可準(zhǔn)確補(bǔ)償探頭的延遲,專用的開(kāi)關(guān)損耗算法,提供可靠的測(cè)試結(jié)果。

獨(dú)特的ISOvU探頭,最高800MHz帶寬高達(dá)120dB共模抑制比,準(zhǔn)確測(cè)試驅(qū)動(dòng)信號(hào)的真實(shí)情況。