同時安森美半導體還為客戶提供高集成度功率因數控制器、DC-DC控制器、分立MOSFET、功率整流器、二極管及晶體管等完整系列的電源半導體產品。
電機驅動功能
       安森美半導體為白家電變頻驅動提供分立及模塊式設計：
       分立設計器件：安森美半導體用于MOSFET/IGBT門極驅動器NCP5104、NCP5106、NCP5111、NCP5181能工作在高達600V的輸入電壓，具有每納秒50V的dv/dt抗擾度，并兼容于3.3V和5V輸入邏輯，這些器件使用啟動電路(bootstrap）技術來確保驅動高邊功率開關，并提供強固的設計。
       安森美半導體用于功率因數控制器的IGBT產品有 NGTB05N60、NGTB10N60、NGTB15N60、NGTB20N60L2、NGTB30N60，帶續(xù)流二極管；用于電機驅動被動功率因數校正的IGBT產品有NGTG12N60、NGTG15N60S1、NGTG20N60L2、NGTG30N60F、NGTG50N60F，不帶續(xù)流二極管。

 圖4. 用于功率因數控制器的IGBT          圖5. 用于電機驅動功率因數校正的IGBT

 安森美半導體用于電機控制的MOSFET產品具有低導通阻抗、低電容、低門極電荷等特性，能將器件導通損耗、開關損耗以及驅動器損耗降至最低，提供高抗雪崩能力及大電流通過能力。
       模塊式設計：安森美半導體采用IMST(絕緣金屬基板技術)技術使分立無源器件(電阻、電容)、分立有源器件(二極管、晶體管）及集成電路(門驅動器、DSP、邏輯）等封裝到同一智能功率模塊(IPM）中。

圖6. 安森美半導體專有的絕緣金屬基板技術(Insulated metal Substrate Technology，IMST）示意圖