圖3 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶DM濾波器）
圖4顯示了增加CM和DM濾波器后的噪聲特性。 與圖3相比，CM濾波器的增加降低了近20dBμV/ m的CM噪聲。 并且EMI性能也通過了CISPR25 C5標(biāo)準(zhǔn)。
圖4 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶CM和DM濾波器）
圖5顯示了不同布局下帶CM和DM濾波器的噪聲特性，其中濾波器與圖4相同。但與圖4相比，整個頻段的噪聲增加了大約10dBμV/ m，高頻噪聲甚至還超出CISPR25 C5標(biāo)準(zhǔn)的平均值。
圖5 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶CM和DM濾波器，不同布局）
圖4和圖5之間噪聲結(jié)果的不同主要是由于PCB布線差異所致，如圖6所示。圖5的布線中（圖6的右側(cè)），大面積覆銅（GND）包圍著DM濾波器，并和Vin走線形成了一些寄生電容。 這些寄生電容為高頻信號旁路濾波器提供了有效的低阻抗路徑。 因此，為了最大限度地提高濾波器的性能，需要移除濾波器周圍所有的覆銅，如圖6左側(cè)的布線。
圖6 不同的PCB布線
除了增加濾波器外，另一種優(yōu)化EMI性能的有效方法是增加屏蔽罩。 這是因為連接著GND的金屬屏蔽罩可以阻止噪聲向外輻射。 圖7推薦了一種屏蔽罩的擺放方法。該屏蔽罩恰好覆蓋了板上所有的元器件。
