將離子源產(chǎn)生的離子按質(zhì)荷比m/z的大小分開(kāi)。
15.單聚焦分析器：
離子的m/z與R，B，V有關(guān)。通過(guò)改變磁場(chǎng)可以把不同離子分開(kāi)。在一定磁感應(yīng)強(qiáng)度B下，改變加速電壓V可以使不同離子先后通過(guò)檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)質(zhì)量掃描，得到質(zhì)譜。特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便；只有方向聚焦，無(wú)能量聚焦，分辨率低。
16.雙聚焦分析器：
實(shí)現(xiàn)方向聚焦和能量(速度)聚焦；
對(duì)于動(dòng)能不同的離子，通過(guò)調(diào)節(jié)電場(chǎng)能，達(dá)到聚焦的目的。
特點(diǎn)：分辨率高。
17.四級(jí)桿質(zhì)量分析器：
特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小、重量輕，掃描速率快，適合與色譜聯(lián)機(jī)。
18.飛行時(shí)間質(zhì)量分析器：
特點(diǎn)：質(zhì)量范圍寬，掃描速率快，既不需磁場(chǎng)也不需電場(chǎng)，只需要直線漂移空間。
19.離子阱質(zhì)量分析器：
特定m/z離子在阱內(nèi)一定軌道上穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)，改變端電極電壓，不同m/z離子飛出阱到達(dá)檢測(cè)器。
特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于操作、靈敏度高。
20.質(zhì)譜的表示方法：
質(zhì)譜一般可用線譜或表譜兩種方法表示，常用線譜；線譜上的各條直線表示一個(gè)離子峰，橫坐標(biāo)為質(zhì)荷比m/z，縱坐標(biāo)為離子的相對(duì)強(qiáng)度(相對(duì)豐度)，一般將原始質(zhì)譜圖上最強(qiáng)的離子峰定為基峰并定為相對(duì)強(qiáng)度100%，其他離子峰以對(duì)基峰的相對(duì)百分值表示。能夠很直觀地觀察到整個(gè)分子的質(zhì)譜全貌；質(zhì)譜表是用表格形式表示的質(zhì)譜數(shù)據(jù)，質(zhì)譜表中有兩項(xiàng)即質(zhì)荷比及相對(duì)強(qiáng)度，對(duì)定量計(jì)算較直觀。
21.質(zhì)譜儀的分辨率：
分辨率(R)指質(zhì)譜儀能區(qū)別鄰近兩個(gè)質(zhì)譜峰的能力，對(duì)兩個(gè)相等強(qiáng)度的相鄰峰，當(dāng)兩峰間的峰谷不大于其峰高10%時(shí)，則認(rèn)為兩峰已經(jīng)分開(kāi)。
22.質(zhì)譜圖中主要離子峰的類型：
分子離子峰、同位素離子峰、碎片離子峰、亞穩(wěn)離子峰、重排離子峰。
23.相對(duì)分子質(zhì)量的測(cè)定：
分子離子峰的m/z相當(dāng)于該化合物的相對(duì)分子質(zhì)量。
一般除同位素離子峰外，分子離子峰是質(zhì)譜圖中最大質(zhì)荷比的峰，位于質(zhì)譜圖的最右端。
24.確認(rèn)分子離子峰的方法：
(1)分子離子峰必須符合氮數(shù)規(guī)則：
有機(jī)化合物含有偶數(shù)個(gè)氮原子或不含氮原子，分子離子峰的m/z一定是偶數(shù);含奇數(shù)個(gè)氮原子，分子離子峰的m/z一定是奇數(shù)；
(2)分子離子峰與相鄰離子峰的質(zhì)量差應(yīng)合理，如，不可能出現(xiàn)比分子離子峰質(zhì)量小4～13個(gè)質(zhì)量單位的峰；
(3)當(dāng)化合物中含S，Br，Cl時(shí)，可利用M+(M2+)+等同位素離子峰的比例來(lái)確認(rèn)分子離子峰。
(4)改變質(zhì)譜儀的操作條件，提高分子離子峰的相對(duì)強(qiáng)度。
※采用化學(xué)電離源或降低電子轟擊源電壓可獲得較強(qiáng)的M+峰。
25.氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀：
質(zhì)譜：純物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析。
色譜：化合物分離，定性能力差。
色譜-質(zhì)譜聯(lián)用：共同優(yōu)點(diǎn)，GC-MS、LC-MS、CE-MS，色譜是質(zhì)譜的進(jìn)樣及分離系統(tǒng)，質(zhì)譜是色譜的檢測(cè)器。
主要問(wèn)題：接口技術(shù)，除去色譜中大量的流動(dòng)相分子。
適用范圍：適用于揮發(fā)度低、難氣化、極性強(qiáng)、相對(duì)分子質(zhì)量大及熱穩(wěn)定性差的樣品。
26.無(wú)損檢測(cè)定義：
無(wú)損檢測(cè)技術(shù)即非破壞性檢測(cè)，就是在不破壞待測(cè)物質(zhì)原來(lái)的狀態(tài)、化學(xué)性質(zhì)等前提下，為獲取與待測(cè)物的品質(zhì)有關(guān)的內(nèi)容、性質(zhì)或成分等物理、化學(xué)情報(bào)所采用的檢查方法。
