4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16%和16.8%。

5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、13%、12%、10%。

6.含變壓器型的光伏逆變器中國(guó)加權(quán)效率不得低于96%，不含變壓器型的光伏逆變器中國(guó)加權(quán)效率不得低于98%（單相二級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的光伏逆變器相關(guān)指標(biāo)分別不低于94.5%和96.8%），微型逆變器相關(guān)指標(biāo)分別不低于94.3%和95.5%。

（五）新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿(mǎn)足以下要求：

1.多晶硅滿(mǎn)足《硅多晶》（GB/T12963）2級(jí)品以上要求。

2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA。

3.多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于19%和21%。

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17%和17.8%。

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、14%、14%、12%。

（六）多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率首年分別不高于2.5%和3%，后續(xù)每年不高于0.7%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率首年不高于5%，后續(xù)每年不高于0.4%，25年內(nèi)不高于15%。

三、資源綜合利用及能耗

（一）光伏制造企業(yè)和項(xiàng)目用地應(yīng)符合國(guó)家已出臺(tái)的土地使用標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)格保護(hù)耕地，節(jié)約集約用地。

（二）光伏制造項(xiàng)目電耗應(yīng)滿(mǎn)足以下要求：

1.現(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目還原電耗小于60千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于100千瓦時(shí)/千克；新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目還原電耗小于50千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于80千瓦時(shí)/千克。

2.現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合電耗小于8.5千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于7千瓦時(shí)/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項(xiàng)目平均綜合電耗的增加幅度不得超過(guò)0.5千瓦時(shí)/千克。

3.現(xiàn)有硅棒項(xiàng)目平均綜合電耗小于45千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于40千瓦時(shí)/千克。

4.現(xiàn)有多晶硅片項(xiàng)目平均綜合電耗小于45萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于40萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片；現(xiàn)有單晶硅片項(xiàng)目平均綜合電耗小于40萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于35萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片。

5.電池項(xiàng)目平均綜合電耗小于9萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp。

6.晶硅電池組件項(xiàng)目平均綜合電耗小于6萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp；薄膜電池組件項(xiàng)目平均電耗小于50萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp。

（三）光伏制造項(xiàng)目生產(chǎn)水耗應(yīng)滿(mǎn)足以下要求：

1.多晶硅項(xiàng)目水循環(huán)利用率不低于95%；