科技日報北京10月27日電 （記者張夢然）日本一研究團隊近日宣布，他們利用半導體材料氮化鎵（GaN）研發(fā)的逆變器，已首次成功應用在電動汽車上，有望讓電動汽車節(jié)能20%以上。該研究團隊由2014年諾貝爾物理學獎得主之一、日本名古屋大學教授天野浩領導。

日本諾獎得主天野浩

逆變器是電動汽車的關(guān)鍵部件之一，其功能是把電池所儲存的直流電轉(zhuǎn)換成電動機所需的交流電。也可以理解為是一種將低壓（12、24或48伏）直流電轉(zhuǎn)變?yōu)?20伏交流電的電子設備。

此次，天野浩團隊通過利用氮化鎵，研發(fā)出了可比一般純電動車節(jié)能兩成的純電動車，并將該車命名為“ALL GaN Vehicle”。測試中已能達到時速50公里水平，計劃今年內(nèi)實現(xiàn)時速100公里。

和傳統(tǒng)技術(shù)相比，使用氮化鎵的新型逆變器效率更高，可大幅降低轉(zhuǎn)換中的電量損耗。它也可應用于混合動力汽車等其他環(huán)保車，有望幫助減少二氧化碳排放。

“ALL GaN Vehicle”汽車已于24日開幕的第46屆東京汽車展上展出。天野浩表示，使用氮化鎵做電池的電動汽車尚屬世界首例。但目前他們?nèi)匀幻媾R裝置的可靠性和價格這兩樣課題研究，他們希望新技術(shù)能盡快達到使用標準，爭取2025年投入市場。

天野浩與另外兩名諾貝爾物理學獎獲獎者的研究成果就是發(fā)明了以氮化鎵晶體為材料的藍光二極管。

總編輯圈點

如果要為半導體材料劃分代際的話，可以這么說：以硅為代表的第一代半導體是集成電路的基石，第二代半導體如砷化鎵促成了信息高速公路的崛起，以氮化鎵、碳化硅、金剛石等為代表的第三代半導體，則是發(fā)展下一代信息技術(shù)的重要載體。第三代半導體材料不但具有優(yōu)異的光電特性，還具有熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能。因此，它們當仁不讓地成為目前半導體研究領域的前沿熱點。