“主流存儲器，不管是DRAM還是NAND，拼的都是先進工藝和規(guī)模。美、韓、日之前都是走的這條路。”賽迪智庫集成電路產(chǎn)業(yè)研究所所長霍雨濤在接受《中國電子報》記者采訪時表示，“我國臺灣走的則是利基型存儲器路線，基本上都是別人淘汰后不做的產(chǎn)品。”

“我國臺灣地區(qū)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展上，應(yīng)該說總體是成功的。”業(yè)內(nèi)專家莫大康告訴《中國電子報》記者，“但是即便投入了300億美元，其存儲器之夢也未能實現(xiàn)。”

莫大康表示，上世紀80年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設(shè)計技術(shù)相對簡單且易于擴大市場份額等。韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產(chǎn)業(yè)的第一。

我國臺灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。根據(jù)此理念，臺灣從2004年開始加速存儲器方面的投資，5年內(nèi)總投資高達300億美元以上，擁有了20條12英寸晶圓生產(chǎn)線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。但是最終，臺灣并未因12英寸晶圓生產(chǎn)線多而取得勝利，韓國的三星電子及SK海力士仍雄居全球存儲器第一與第二位，臺灣只得宣布放棄存儲器追趕策略，轉(zhuǎn)而固守陣地。