隨著GaN功率元件出貨量快速增長(zhǎng)，業(yè)界觀察家均看好GaN的市場(chǎng)前景。市場(chǎng)研究分析公司Yole Developpement在最近的調(diào)查報(bào)告中指出，‘GaN功率市場(chǎng)邁向整合，準(zhǔn)備迎向巨大成長(zhǎng)。’

Yole分析師Philippe Rousel也預(yù)測(cè)：“GaN元件市場(chǎng)可望在2020年達(dá)到6億美元的規(guī)模，屆時(shí)將需要制造58萬(wàn)片6寸晶圓。此外，GaN市場(chǎng)將于2016年起迅速發(fā)展，5G基站、汽車(chē)毫米波雷達(dá)、純電動(dòng)汽車(chē)（EV）/油電混合車(chē)（HEV）將在2018-2019年開(kāi)始廣泛采用GaN RF元件，2020年以前估計(jì)可實(shí)現(xiàn)80%的CAGR成長(zhǎng)率。”

目前，新一代GaN元件正從以下4個(gè)方面突破技術(shù)障礙：1）具備更低導(dǎo)通電阻：由于全新GaN FET系列可降低一半導(dǎo)通電阻，因此可支援大電流、高功率密度應(yīng)用。2）進(jìn)一步改善品質(zhì)因子（FOM）：最新一代GaN FET較上代元件降低一半的硬開(kāi)關(guān)FOM，因此在高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用可進(jìn)一步提高開(kāi)關(guān)性能。3）更寬廣的電壓范圍：由于受惠于采用GaN FET擴(kuò)展至30V的應(yīng)用，因此可支援更高功率的DC-DC轉(zhuǎn)換器、POL轉(zhuǎn)換器以及隔離型電源供電、電腦與伺服器內(nèi)的同步整流器等更多應(yīng)用。5）更優(yōu)越的散熱性能：新一代GaN FET系列產(chǎn)品在溫度方面具備增強(qiáng)性能并配備更優(yōu)越的晶片布局，因而改善了散熱及電學(xué)性能，使得GaN FET在任何條件下都能更高功率地工作。

Bill Boesch表示：“GaN FET的結(jié)溫可以高達(dá)250攝氏度，環(huán)境工作溫度可以高達(dá)150度，完全可以滿足汽車(chē)級(jí)元件要求。”