對于單粒子引起的翻轉(zhuǎn)，敏感度由低到高的順序可以排列為：CMOS/SOI，CMOS/SOS，體硅COMS，NMOS，I2L，TTL。為避免單粒子引起的鎖定，推薦使用CMOS/SOI，CMOS/SOS或外延COMS工藝器件，CMOS/SOI，CMOS/SOS工藝器件不存在鎖定問題，外延CMOS器件單粒子鎖定的閥值一般較高，但在具體應用時，應對其鎖定閥值進行評估。器件的單粒子敏感度與器件的使用條件有關，一把情況下，電源電壓、溫度和累積劑量的升高會影響器件的單粒子敏感度，在系統(tǒng)設計時應予以考慮。適當增加屏蔽層厚度可對空間低能粒子起到一定的屏蔽作用，但對高能重離子和高能質(zhì)子的屏蔽效果不明顯。
附件：輻射加固保證(RHA)等級
關鍵詞:儀器儀表 測試測量 航空航天 瀏覽量：991
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