航天型號在軌運行時間一般可分為長期、中期、短期三類，一般情況下要求器件具有抗總劑量輻射的能力如表所示。但空間輻射環(huán)境在不同的年份、不同地區(qū)有很大的差別。因此選擇器件的抗總劑量輻射的固有能力與實際承受的輻射總劑量應有一定的裕度，兩者之比成為輻射設計裕度(RDM)，RDM在2至11之間，根據具體的航天型號總體要求(風險、成本、進度、難度等)而定。
按上表選擇長期運行抗總劑量輻射的半導體器件，其抗輻射總劑量的能力應大于100krad(Si)，當RDM取2時，則應選RHA為F等級的器件。當所選器件無RHA要求時，應進行輻射總劑量評估試驗(RET)以摸清器件的抗總劑量輻射的能力。當選擇不到抗總劑量輻射能力的器件時，可參照資料的要求，對器件進行屏蔽，以保證其在電離總劑量輻射環(huán)境中穩(wěn)定可靠地工作。
器件抗單粒子翻轉(SEU)的能力以現(xiàn)行能量傳遞(LET)表示，當器件發(fā)生單粒子翻轉時的最小LET成為現(xiàn)行能量傳遞閥值LETTh(及SEU敏感度)，LET及LETTh的量綱均為MEV·cm2/Mg。器件SEU的敏感度主要取決于器件敏感單元的集合尺寸、版圖結構和工藝，因此對器件SEU敏感度的評估可以利用已有的同一版圖結構和同一工藝器件的試驗數據或分析結果。
