4）數(shù)據(jù)維持失效（DRF）：存儲單元經(jīng)過一段時間后無法維持自己的邏輯值的故障，這種失效一般是由上拉電阻斷開引起的。

以上四種故障模型是所有存儲器都可能存在的失效模型。

另外，Flash還有以下幾種失效模型。

5）柵極編程干擾（GPD）和柵極擦除干擾（GED）：對一個存儲單元的編程或擦除操作引起同一字線上的另外單元發(fā)生錯誤的編程或擦除操作。

6）漏極編程干擾（DPD）和漏極擦除干擾（DED）：對一個存儲單元的編程或擦除操作引起同一位線上的另外單元發(fā)生錯誤的編程或擦除操作。

7）過度擦除（OE）：對存儲器的過度擦除將會導(dǎo)致對該存儲單元的下一次編程不起作用，從而無法得到正確的操作結(jié)果。

8）讀干擾（RD）：對一個存儲單元的讀操作引起對該單元的錯誤編程。

以上的故障都屬于陣列故障，還存在周邊電路故障。

9）地址譯碼失效（ADF）；特定的地址無法存取對應(yīng)存儲單元，或多個單元同時被存取，或特定的存儲單元可以被多個地址存取。

2 March C 算法：

< 基于以上列出的Flash 存儲器的故障模型，需要選擇覆蓋率高，效率高的測試算法對其進行測試驗證。

本次研究采用March C算法來實現(xiàn)。其表示為：

{↓↑（w0）;↑(r0,w1,);↑(r1,w0);

↓(r0,w1); ↓(r1,w0); ↓↑(w0)}

其中，符號意義如下：