在DCDC 電源測試中，負載瞬態(tài)測試（Load Transient Test）是十分重要的一環(huán)，利用負載瞬態(tài)測試，可以快速評估所測電源的穩(wěn)定性與快速性，而在 DCDC 轉換器芯片的選型時，負載瞬態(tài)測試表現(xiàn)也是評估該芯片動態(tài)性能的重要參考。下圖是某 DCDC 轉換器負載瞬態(tài)測試的典型波形，CH3 為輸出電壓的 AC 分量，CH4 為負載電流。注意到負載電流上升斜率與下降斜率并不相同，較緩的上升斜率對應較小的電壓跌落（Undershoot），而陡峭的下降斜率則對應較大的電壓過沖（Overshoot）。

負載瞬態(tài)通常使用電子負載（E-Load）進行測試，前面提到，負載的跳變斜率（Slew Rate）將對測試結果產(chǎn)生關鍵影響，然而受設備內(nèi)部電路限制，常規(guī)電子負載所能實現(xiàn)的 di/dt 不會很高，另外受不同廠家設計等因素影響，不同型號的電子負載其能實現(xiàn)的跳變速率也不盡相同，如下圖 2(a)(b)所示，兩圖分別為型號 A 和 B，在同樣設置 2.5A/us 時的實際電流上升斜率對比，可以看到實際電流跳變斜率遠小于設置值，而不同型號的跳變斜率也不一樣。這可能導致電源瞬態(tài)測試結果偏理想，或對不同芯片之間性能評估不夠客觀。因此，設計一款簡易實用，負載跳變斜率可滿足實驗要求的電子負載具有重要工程意義。

要實現(xiàn)較高的負載跳變速率，常規(guī)的設計思路是使用 MOSFET 對負載電阻進行開斷，該方法實現(xiàn)雖然簡單，但實際應用時存在一個明顯缺點：由于 MOSFET 的開關過程一般在百 ns 級，因此限制負載電流跳變速率的主要是所選負載電阻的 ESL（等效串聯(lián)電感），一般的滑動變阻器都是屬于繞線型電阻，其 ESL 往往較大，因此較難實現(xiàn)高跳變速率。而若選用獨立的無感功率電阻，假設測試需要能覆蓋 1.8V/3.3V/5V/12V 在 0.1A/0.5A/1A/2A/3A 下的負載跳變，就需要準備多達 20 種不同阻值的電阻，若電壓 / 電流組合更復雜，則所需不同阻值的電阻將更多，且測試電壓或負載電流改變時必須更換相應電阻，十分麻煩。

針對上述傳統(tǒng)方法的不足，本文設計了一種基于 MOSFET 的小功率實用電子負載。如下圖所示，該設計主要包括 MOSFET，驅動級，電源軌及脈沖發(fā)生器四部分。其基本工作原理為：MOSFET 并非處于常規(guī)的開關狀態(tài)，而是使其工作在恒流區(qū)，脈沖發(fā)生器通過 DRV8836 驅動 MOSFET，產(chǎn)生一定幅值和脈寬的 GS 電壓，進而實現(xiàn)漏極電流（負載電流）的跳變。其中負載電流的幅值可通過調(diào)節(jié) LDO 輸出電壓進行控制，負載電流的上升 / 下降斜率則可通過調(diào)節(jié)驅動電阻阻值進行控制。

設計中有幾點值得注意：

由于 MOSFET 處于恒流區(qū)，漏極電流受控于 GS 電壓，若采用傳統(tǒng)二極管加驅動電阻的方式進行斜率調(diào)節(jié)，當 GS 電壓與驅動電壓小于二極管正向壓降時，二極管將相當于高阻，會使得驅動回路時間常數(shù)變大，動態(tài)變差，因此這里使用 DRV8836 的兩個半橋實現(xiàn)充放電的獨立控制；

實際負載動態(tài)測試需要實現(xiàn)某一電流 A 跳變到另一電流 B，可將其分解為 DC 電流（電流 A）以及 AC 電流（電流 B）。本設計只需考慮 AC 電流（跳變部分），DC 電流只需在 MOSFET 兩端并聯(lián)一可調(diào)功率電阻即可；

為減小 MOSFET 發(fā)熱，可設置較低的脈沖頻率（如 10Hz），而相應搭配較低的占空比；

為方便離線運行，脈沖發(fā)生器部分這里采用了 LMC555 定時器搭建脈沖發(fā)生電路，以下電路實現(xiàn)了頻率不變而占空比可調(diào)的脈沖發(fā)生器。兩二極管的加入使得充放電回路分開，調(diào)節(jié) R2 即可調(diào)節(jié)充放電時間，從而實現(xiàn)占空比可調(diào)。充放電時間及脈沖頻率計算如下式：

在實際條件允許時，也可直接使用信號發(fā)生器產(chǎn)生脈沖信號。

為驗證設計的可行性，基于上述設計框圖搭建原型機如下圖：