相關(guān)成果在Appl.Phys.Lett.114,021102(2019)發(fā)表后立刻被國際著名《化合物半導(dǎo)體，Compound Semiconductor 2019年第2期》長篇報道，指出：“該單模激光器開創(chuàng)性提升邊模抑制比，為天基衛(wèi)星載LIDAR系統(tǒng)和氣體檢測系統(tǒng)提供了有競爭力的光源器件”。在銻化物量子阱大功率激光器方面，研究團(tuán)隊創(chuàng)新采用數(shù)字合金法生長波導(dǎo)層等關(guān)鍵技術(shù)，研制成功2μm波段的InGaSb/AlGaAsSb應(yīng)變量子阱大功率激光器，其單管器件的室溫連續(xù)輸出功率達(dá)到1.62瓦、巴條(線陣)激光器組件的室溫連續(xù)輸出功率16瓦，綜合性能達(dá)到國際一流水平并突破國外高功率半導(dǎo)體激光器出口限制規(guī)定的性能條款。相關(guān)成果被選為Chin. Phys. B. 28(1), (2019)封面文章。

GaSb基InGaAsSb晶格匹配異質(zhì)結(jié)量子阱的能帶帶隙可調(diào)范圍覆蓋了1.8μm～4.0μm的短波紅外區(qū)域，與該波段的其它激光材料體系相比，其在研制電直接驅(qū)動下高光電效率的激光器方面具有獨特的優(yōu)勢。

近年來，隨著銻化物多元素復(fù)雜低維材料分子束外延技術(shù)的不斷進(jìn)步，國際上銻化物半導(dǎo)體相關(guān)的材料與光電器件技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展十分迅速。上述銻化物半導(dǎo)體激光器研究成果突破了短波紅外激光器技術(shù)領(lǐng)域長期“卡脖子”的核心技術(shù)，將在危險氣體檢測、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療與激光加工等諸多高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)揮不可替代的重要價值。

該項目研究工作先后達(dá)到國家973重大科學(xué)研究計劃課題2013CB942904、2014CB643903、國家自然科學(xué)基金委重大項目61790580和重點項目61435012等的資助。