亚洲综合色丁香婷婷六月图片,亚洲欧洲av一区二区久久,亚洲精品欧美综合四区,亚洲熟妇少妇任你躁在线观看无码,亚洲精品中文字幕乱码

 
當(dāng)前位置: 首頁(yè) » 技術(shù)方案 » 解決方案 » 半導(dǎo)體 » 正文

安森美半導(dǎo)體的寬禁帶方案、技術(shù)及仿真工具優(yōu)化并加快您的設(shè)計(jì)


  來(lái)源: 21IC中國(guó)電子網(wǎng) 時(shí)間:2018-11-29 編輯:思楊
分享到:

?

市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì),有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商,除了提供適合全功率范圍的高性能硅方案,也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿,具備全面的寬禁帶陣容,產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng),為設(shè)計(jì)人員提供針對(duì)不同應(yīng)用需求的更多的選擇。

 

寬禁帶應(yīng)用趨勢(shì)

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS,從2016年到2027年SiC和GaN應(yīng)用將激增,包括電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)及充電樁基礎(chǔ)設(shè)施、太陽(yáng)能逆變器、電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源(UPS)、軍事/航空等應(yīng)用領(lǐng)域,其中電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器、電源將是主要的應(yīng)用市場(chǎng)。

圖1直觀地表示了各功率器件的頻率、輸出功率及汽車(chē)寬禁帶應(yīng)用。Si的功率覆蓋范圍較廣,但頻率不上去。超級(jí)結(jié)(SJ)的產(chǎn)品可以提高工作頻率,使用的范圍更廣一點(diǎn)。SiC相對(duì)具有高頻、高功率的能力,但頻率范圍比GaN低一點(diǎn),而GaN有最高頻率范圍,功率卻相對(duì)低一點(diǎn)。

以汽車(chē)應(yīng)用為例,在汽車(chē)功能電子化的趨勢(shì)下,為實(shí)現(xiàn)更高的能效,要提高電池電壓,這就需要考慮寬禁帶方案。如SiC可用于要求小型化、高功率的應(yīng)用,如牽引逆變器,采用400 V電池的逆變器能效增加65%,采用800 V電池的逆變器能效提升則可達(dá)80%。

GaN則在車(chē)載充電(OBC)方面更有優(yōu)勢(shì),因?yàn)镺BC的可用空間有限,而GaN頻率范圍更高,可縮減系統(tǒng)體積,降低開(kāi)關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)更高能效。

封裝將是市場(chǎng)上寬禁帶產(chǎn)品用于汽車(chē)的關(guān)鍵:高功率模塊用于逆變器以?xún)?yōu)化散熱,減小尺寸;為支持高能效的高頻開(kāi)關(guān),需采用極低電感的封裝或模塊用于OBC。
 

圖1:各類(lèi)功率器件的頻率、輸出功率范圍及汽車(chē)寬禁帶應(yīng)用

 

當(dāng)然,還有很多系統(tǒng)采用Si技術(shù)就可以滿(mǎn)足需求,寬禁帶器件的成本比硅器件要高,所以需要根據(jù)應(yīng)用需求和成本去綜合考量具體使用哪一種技術(shù),以?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)。安森美半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)在于擁有全系列Si、SJ、SiC和GaN技術(shù)以支持客戶(hù)。

 

安森美半導(dǎo)體的SiC二極管具有同類(lèi)最佳的性能和可靠性

SiC二極管沒(méi)有反向恢復(fù)電流,開(kāi)關(guān)性能與溫度無(wú)關(guān),這比硅二極管大大降低了開(kāi)關(guān)損耗,具有更佳的熱性能,從而實(shí)現(xiàn)更高能效。更快的開(kāi)關(guān)還支持設(shè)計(jì)人員減少磁性線(xiàn)圈和相關(guān)的無(wú)源器件的尺寸,從而增加功率密度,降低物料單(BOM)成本。SiC產(chǎn)品能穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)于寬溫度范圍,零電壓恢復(fù)消除了電壓過(guò)沖也有助于SiC的高性能。

安森美半導(dǎo)體的SiC技術(shù)具有獨(dú)特的專(zhuān)利終端結(jié)構(gòu),進(jìn)一步加強(qiáng)可靠性并提升穩(wěn)定性和耐用性,提供更高的雪崩能量、業(yè)界最高的非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān)(UIS)能力和最低的漏電流。安森美半導(dǎo)體的650 V和1200 V SiC技術(shù)結(jié)合優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能、更高可靠性和低電磁干擾(EMI),非常適合下一代電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如太陽(yáng)能逆變器、電源、電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)自動(dòng)化。其中,650 V、1200 V SiC二極管系列分別提供6 A到50 A、5 A到50 A的額定電流,都提供表面貼裝和通孔封裝,包括TO-247、TO-220、D2PAK、DPAK和易于以現(xiàn)有的電路板制造能力整合的裸片/晶圓,且都具有零反向恢復(fù)、比同類(lèi)最佳的競(jìng)爭(zhēng)器件更低的正向電壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、承受更高的浪涌電流和正溫度系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)極佳的強(qiáng)固性。

關(guān)鍵詞:電子材料 半導(dǎo)體 寬帶    瀏覽量:12190

聲明:凡本網(wǎng)注明"來(lái)源:儀商網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于儀商網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編使用。
經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用,并注明"來(lái)源:儀商網(wǎng)"。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來(lái)源的作品,歸原版權(quán)所有人所有。目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類(lèi)作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如有作品的內(nèi)容、版權(quán)以及其它問(wèn)題的,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載自其它媒體或授權(quán)刊載,如有作品內(nèi)容、版權(quán)以及其它問(wèn)題的,請(qǐng)聯(lián)系我們。相關(guān)合作、投稿、轉(zhuǎn)載授權(quán)等事宜,請(qǐng)聯(lián)系本網(wǎng)。
QQ:2268148259、3050252122。


讓制造業(yè)不缺測(cè)試測(cè)量工程師

最新發(fā)布
行業(yè)動(dòng)態(tài)
技術(shù)方案
國(guó)際資訊
儀商專(zhuān)題
按分類(lèi)瀏覽
Copyright ? 2023- 861718.com All rights reserved 版權(quán)所有 ?廣州德祿訊信息科技有限公司
本站轉(zhuǎn)載或引用文章涉及版權(quán)問(wèn)題請(qǐng)與我們聯(lián)系。電話(huà):020-34224268 傳真: 020-34113782

粵公網(wǎng)安備 44010502000033號(hào)

粵ICP備16022018號(hào)-4