PXI數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(ADC/DAC)測(cè)試系統(tǒng)解決方案覆蓋INL、DNL、SNR、THD、IDD、IDDQ與電壓高/低臨界測(cè)試。

NI半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)可讓工程師建構(gòu)高效半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)。這些系統(tǒng)可縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間并減少設(shè)備體積，滿足日趨復(fù)雜的測(cè)試需求。

亞德諾半導(dǎo)體使用NI PXI減少高速ADC的測(cè)試時(shí)間

挑戰(zhàn)：

開(kāi)發(fā)具有高效率和高成本效益的高速ADC/DAC測(cè)試系統(tǒng)，并且具有高靈活性支持不同測(cè)試配置。

客戶引言：

“在實(shí)驗(yàn)室特性分析以及產(chǎn)線測(cè)試使用同樣的PXI架構(gòu)進(jìn)行測(cè)量，讓程序代碼可重復(fù)使用、省去重復(fù)評(píng)估、以及簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)(correlation)的時(shí)間優(yōu)勢(shì)，使得我們得以節(jié)省測(cè)試的時(shí)間與精力，并加速產(chǎn)品上市?！薄?/span>Leo McHugh，副總裁

案例5：微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)測(cè)試

NI MEMS測(cè)試方案可覆蓋MEMS加速器、陀螺儀(Gyroscope)與麥克風(fēng)等。通過(guò)NI高精度測(cè)試儀器，模塊化平臺(tái)方法可大幅縮短測(cè)試時(shí)間并降低測(cè)試成本，并且可與MEMS測(cè)試Handler(分選機(jī))進(jìn)行良好結(jié)合。

MEMS測(cè)試系統(tǒng)解決方案覆蓋MEMS常見(jiàn)測(cè)量項(xiàng)目，包含：

開(kāi)/短路、待機(jī)電流、漏電流

參考IDD、正/負(fù)連通性

輸出/入邏輯臨界

動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

NI方案深度剖析

博世利用NI平臺(tái)建立微機(jī)電共振器的可靠度測(cè)試系統(tǒng)

“我們利用NI系統(tǒng)模塊，制作一個(gè)緊湊、微小的尺寸單元，并且提供必要的數(shù)字外圍通道以及模擬前端電路，以創(chuàng)造自定義、尺寸剛好的DAQ卡，以便在多個(gè)DUT上執(zhí)行并行測(cè)試，及延長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間?！?/span>

“這系統(tǒng)必須精準(zhǔn)地測(cè)試發(fā)生斷裂時(shí)的偏轉(zhuǎn)幅度，并測(cè)量周期次數(shù)，知道疲勞斷裂發(fā)生?！薄?span>Balázs G?r?g, 博世(Robert Bosch)

回顧所有大咖案例后，再回到文章開(kāi)始的問(wèn)題。“業(yè)內(nèi)大咖們給NI半導(dǎo)體測(cè)試解決方案打幾分？”那必須是滿10打9，1分留給明年帶來(lái)更多不一樣的NI半導(dǎo)體測(cè)試解決方案！