流入電流測量：

由于超級電容表現(xiàn)出明顯的非傳導(dǎo)性介質(zhì)特性，所以測量實(shí)際的自放電或者自漏電數(shù)值是比較困難的。當(dāng)一只超級電容被充電至工作電壓的過程中，流入電流是很大的，并且逐步變小。此時(shí)流入電流是介質(zhì)吸收電流與電容漏電流之和。介質(zhì)吸收電流是作為能量儲存，但深度存儲需要比較長的時(shí)間，電容的流入電流與時(shí)間是對數(shù)關(guān)系，具體如下表所示。

只有當(dāng)介質(zhì)吸收電流為0時(shí)，此時(shí)的流入電流才是漏電電流，這大概需要連續(xù)充電100個小時(shí)才能達(dá)到，此時(shí)漏電流大概為幾微安。在這個點(diǎn)以后，為了繼續(xù)測量流入電流，需要使用一只準(zhǔn)確的微伏表與一只比較大的電阻，數(shù)值參看上圖。

直流阻抗與交流阻抗測量：

串聯(lián)等效阻抗或者交流阻抗可以通過LCR電橋在1kHz下進(jìn)行測量。這種方法測量的結(jié)果是比較準(zhǔn)確的。另外一種方法是測量所謂的直流阻抗，可以用同一種儀器，但這種方法測量的結(jié)果是不準(zhǔn)確的，誤差比較大。

下圖是用電容容量測量電路獲得的充電電壓曲線，起始階段的局部放大圖如下圖所示，當(dāng)用1A的電流進(jìn)行充電時(shí)，瞬間發(fā)生的電壓階躍可以被用來計(jì)算交流內(nèi)阻，直流內(nèi)阻或者DC阻抗等于階躍電壓值除以1A的電流，對于內(nèi)阻很低的電容，可以用更大的電流進(jìn)行測量。

在這個示例中，內(nèi)部阻抗=初始電壓階躍/充電電流=0.15V/1A=0.15Ω，研究得出，直流阻抗是交流阻抗的1.1至1.5倍之間。