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我國微波器件科技新突破 半絕緣碳化硅問世


  來源: 儀器儀表商情網 時間:2015-07-24 作者:
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    儀器儀表商情網訊:近日,我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產品面世。中國電子材料行業(yè)協會組織的專家認為,該成果國內領先,已達到國際先進水平。
       碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性,是新一代雷達系統(tǒng)的核心。

 

關鍵詞:碳化硅 微波 新材料    瀏覽量:646

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