圖3.從電路板布局進(jìn)行 EMI 掃描，其中 AC 輸入與開關(guān)電路之間距離較大

您是否有過在顯著加強(qiáng)輸入濾波器后 EMI 改善效果很小甚至沒有改善的這種遭遇?這很有可能是因?yàn)橛幸恍﹣碜阅硞€(gè)高 dV/dt 節(jié)點(diǎn)的雜散電容直接耦合到輸入線路，有效繞過了您的 CMC。為了檢測(cè)這種情況，可臨時(shí)短路 PCB 上 CMC 的繞組，并將一個(gè)二級(jí) CMC 與電路板的輸入電線串聯(lián)。如果有明顯改善，您需要重新布局電路板，并格外注意輸入連接的布局與布線。

現(xiàn)在，我們來看看共模 EMI 問題的最常見來源：電源變壓器。

該問題由一次繞組和二次繞組間的寄生電容以及一次繞組的高 dV/dt 引起。這個(gè)繞組間的電容可起到充電泵的作用，導(dǎo)致雜散電流流到通常連接至接地的二次側(cè)。這里有四個(gè)可最大限度減少該問題的常見技巧。

1.進(jìn)行一次繞組，使最高dV/dt出現(xiàn)在外層上。電壓電勢(shì)會(huì)隨每個(gè)匝數(shù)變化。例如在反激拓?fù)渲?，最大的電壓擺幅出現(xiàn)在連接 FET 漏極的一端(見圖 1)。讓“靜音”層臨近最近的二次層，可最大限度地降低在整個(gè)繞組間電容上出現(xiàn)的 dV/dt。采用這種技術(shù)，應(yīng)該明確外部繞組可能已成了有問題的噪聲源，其可能會(huì)耦合至變壓器附近的其它目標(biāo)。外部繞組周圍可能需要一個(gè)屏蔽繞組。

2.在一次繞組和二次繞組之間使用一個(gè)屏蔽繞組。插入一個(gè)一端連接至輸入或輸入返回端的單層繞組，可使雜散電流離開二次繞組并返回至源頭。這種技術(shù)的代價(jià)是略微增加了變壓器的設(shè)計(jì)復(fù)雜性，并增加了漏電感。

3.在一次接地到二次接地之間使用一個(gè)“Y電容器”。該電容器可為雜散電流提供一個(gè)回到一次接地的較低阻抗路徑。電源中的這條本地路徑可防止這些電流找到另外一條通過接地回到源頭的路徑。但是，對(duì)于能使用多大的電容，這里有一定安全限制。

4.添加一個(gè)共模線圈。有時(shí)候所提到的其它技術(shù)不足以將 EMI 降低到所需水平之下。添加一個(gè)共模線圈，不僅可增加共模阻抗，而且還對(duì)降低傳導(dǎo)噪聲非常有效。但這樣會(huì)產(chǎn)生附加組件成本。在選擇共模線圈時(shí)，要注意檢查相對(duì)于頻率的阻抗曲線。在某種情況下，所有線圈都會(huì)因其自身的繞組間電容問題而轉(zhuǎn)變成電容性。