1. EEPROM單元壞與不壞界線很是模糊. EEPROM單元能寫入信息是因?yàn)樗母拍芊@電子并將其困在其中. 但隨著時(shí)間的推移電子由于熱運(yùn)動(dòng)或外界給予能量會(huì)逐漸逃逸, 所以說EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100年). 寫入與擦除信息即是向浮柵注入和釋放電子,電子能量比較高,可能改變周圍的晶格結(jié)構(gòu),導(dǎo)致浮柵俘獲電子能力的下降,也就是表現(xiàn)為保存信息的時(shí)間變短, 所以才會(huì)有一個(gè)保守的寫入次數(shù)限制(這里說保守是因?yàn)榘雽?dǎo)體的離散性大,實(shí)際的次數(shù)大得多). 到了規(guī)定寫入次數(shù)并不是說該單元就壞了, 而是說該單元保持信息的時(shí)間已不可信賴(而實(shí)際上它可能還能保存相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間甚至幾十上百年),所以實(shí)際上短時(shí)間很難判定某個(gè)單元是否可用(壞了). 如匠人的方法檢測(cè), 寫入時(shí)測(cè)試好好的, 可能幾秒鐘之后該單元的數(shù)就逃了.
2. 寫壞一個(gè)單元是很費(fèi)時(shí)間的, "這個(gè)方法，小匠使用過多次，證明是可行的。不知匠人在使用過程中是否碰到過有寫壞的情況。
