磁芯材質(zhì)的通量密度B和磁場強度H之間的關(guān)系，對電感器或變壓器的設(shè)計甚為重要。這一特性的斜率是磁芯材料的磁導(dǎo)率μ，它對電感有影響作用。磁芯材料在高通量密度時將處于飽和狀態(tài)，從而導(dǎo)致磁導(dǎo)率和電感的大幅度降低。B-H回路內(nèi)所含面積等于磁心材料容積單位中每一周期所損耗的能量（磁芯損耗）。通過B和H之比，您便可驗證開關(guān)變流器中磁元件的磁芯損耗和飽和度（或缺少飽和度）之情況。這種測量甚至可在變流器運行期間，在其內(nèi)的電感線圈上進行。

用法拉第（Faraday）定律可確定出通量密度B與施加在繞組上的電壓積分的關(guān)系。因此，我們可通過捕獲并求繞組電壓波形的積分而測定B(t)。用安培（Ampere）定律可確定出磁場強度H與繞組電流的關(guān)系（或，在多匝繞組元件中，與所有繞組的總安匝的關(guān)系）。我們可通過DC電流探頭捕獲電流波形的方式來測量H(t)。對于多匝器件，該電流探頭可一次夾在所有繞組上（如果匝比不是1：1，多匝則須按其它匝比與電流探頭連接）。

五、 測量熒光燈電子鎮(zhèn)流器的啟動和運行模式

電子鎮(zhèn)流器中有一個高頻變流器，它以AC激勵燈管，頻率范圍通常為50至100Khz。鎮(zhèn)流器必須提供一個高壓才能啟動燈管；啟動過程可能需要幾十毫秒。燈管啟動后，變流器須（以較低的電壓）提供穩(wěn)壓電流，使燈以穩(wěn)定的亮度和功率運行。為了確保熒光燈使用中的可靠性，測定啟動瞬態(tài)期間的電壓和電流波形是必不可少的測量工作。

晶體管的開關(guān)時間，其持續(xù)時間通常為幾十納秒，而開關(guān)周期則是十或二十毫秒，啟動瞬態(tài)可持續(xù)幾十毫秒。捕獲這些事件需要每秒幾十或幾百兆樣值（Megasample）的取樣速率，記錄長度需為幾十毫秒。

六、 將開關(guān)電源紋波和AC線路紋波分離

在線性電源中，測量兩倍工頻（120Hz）輸出紋波較為容易，因為您可在線路電壓上觸發(fā)示波器，然后由示波器顯示工頻紋波。但在開關(guān)型電源中則不同，輸出信號由上百kHz的開關(guān)紋波以及其它噪聲所影響，故很難對AC線路整流波動產(chǎn)生的輸出電壓的紋波分量進行測量。測量功率因數(shù)校正的離線整流器中的輸入電流波形質(zhì)量時，也有同樣的問題。

七、 測量開關(guān)變換過程中的瞬時功率和平均功率

在開關(guān)變流器中，當(dāng)電流流過其導(dǎo)通正向電壓降時，功率晶體管中將感生傳導(dǎo)損耗。在開啟和切斷的開關(guān)躍遷期間，可觀察到在晶體管中有大量的可導(dǎo)致開關(guān)損耗的瞬時電壓和電流。開關(guān)損耗一般來源于二極管反向恢復(fù)和MOSFET漏極-源電容。即使晶體管的開關(guān)時間很短，但開關(guān)產(chǎn)生的平均功率損耗是顯著的

以傳統(tǒng)的測試方法很難做這種測量，因為開關(guān)跳變期間的電壓和電流波形錯綜復(fù)雜，而且晶體管在通態(tài)和斷態(tài)期間的電壓變化很大?？侻OSFET損耗雖然可用熱耗散法加以測定，但這些方法存在這機械和精度方面的問題。通過電壓電流乘積方法精確地測量開關(guān)型晶體管中的平均損耗之能力，為設(shè)計工程師提供了一種很有用的基本工具。

八、 測量PFC升壓（Boost）變換器中的晶體管損耗

測量開關(guān)電源變換器中的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，過去是一項非常艱難的任務(wù)。在開關(guān)跳變期間，較高的瞬態(tài)電壓和電流都同時施加于晶體管，從而導(dǎo)致相當(dāng)大的能量損耗。測量這種損耗需要瞬態(tài)電壓和電流波形相乘并求積分。此外，晶體管開啟期間還會出現(xiàn)傳導(dǎo)損耗，其程度等于正向電壓降乘以導(dǎo)通電流。因此必須乘以晶體管瞬態(tài)電壓和電流，并求開關(guān)周期上產(chǎn)生的瞬態(tài)功率波形的積分。除以開關(guān)周期后，便可獲得平均功率損耗。

經(jīng)功率因數(shù)校正的整流器須對其輸入電流波形進行控制，才能使用施加的AC線路電壓。在這些變流器中，開關(guān)的占空比通常隨AC線路周期變化。這些變流器的損耗計算，又因該損耗隨AC線路周期變化之事實而進一步復(fù)雜化。若需計算晶體管的平均損耗，須在快速（幾十納秒）開關(guān)躍遷期間，精確地求出瞬態(tài)功率積分的同時，又要在半工頻周期上求積分。