當驅動電壓為-4V/+15V時，通過上圖可以看到，是否正確補償對測量結果有非常大的影響。當探頭未進行阻抗匹配時，驅動波形振蕩幅度明顯變大，測量量值也更大，這將會導致對驅動電壓的誤判。當探頭正確阻抗匹配時，驅動電壓振幅更小，測量值與實際外加電壓一致。

原因4：無源探頭未使用最小環(huán)路測量

無源探頭標配的接地線有接近10cm長，采用這樣的接地線時，會出現(xiàn)同高壓差分探頭一樣，即測量線圍出一個很大的面積，成為一個天線，測量結果會受到SiC MOSFET開關過程中高速變化的電流的影響。同時，過長的接地線可以看做一個電感，也會導致震蕩的產(chǎn)生。

為了降低這一影響，可以使用廠商標配的彈簧接地針，其長度短、圍出的面積更小。從上圖中可以看到，使用標配接地線時，驅動波形震蕩嚴重，其峰值最大達到xxV，超過了SiC MOSFET柵極耐壓能力；當使用彈簧接地針后，波形震蕩大大減輕了，幅值均在SiC MOSFET柵極耐壓能力范圍內。

長接地線與短彈簧地線波形對比

示波器自帶長接地線、短彈簧地線

原因5：探頭高頻共模抑制比不夠

對于橋式電路中的上管SiC MOSFET，其S極為橋臂中點，其電壓在電路工作時是跳變的。其跳變的幅度為電路的母線電壓，對于1200V SiC MOSFET而言，母線電壓為800V；其跳變的速度為SiC MOSFET的開關速度，可達到100V/ns。此時要測量上管的驅動電壓，就需要面對這樣高幅值、高速度跳變的共模電壓。

從上圖中可以看到，當采用常見的高壓差分探頭時，驅動波形振蕩更大，在第一個脈沖內Ton時間測量值偏低，在Toff時間內存在偏置，在第二個脈沖上升沿存在嚴重的震蕩。這主要是由于高壓差分探頭在高頻下的共模抑制比不夠導致的，此時我們就需要使用具有更高共模抑制比的光隔離探頭來測量上管驅動電壓波形。從下圖中可以看到，當采用光隔離探頭后，波形震蕩明顯減小，第二脈沖上升沿的嚴重震蕩消失，在關斷時間內電壓測量值與實際外加電壓接近。

光隔離探頭與高壓差分探頭波形對比

示意圖為泰克光隔離探頭ISOVu

原因6：測量點離器件引腳根部過遠

4pin的圖片和等效示意圖

當我們測量驅動電壓波形時，探頭并不能直接接觸到SiC MOSFET芯片，而只是能接到器件的引腳上?？梢詫⑵骷囊_看作為電感，那么我們實際測得的驅動電壓為真實的柵-源極電壓和測量點之間引腳電感上壓降之和。那么，測量點之間引腳長度越長，測量結果與SiC MOSFET芯片上真實的柵-源極電壓差異越大。

為了降低這一影響，需要將探頭接到器件引腳的根部，最大限度得縮短測量點之間引腳的長度。從下圖中可以看到，當測量點位于引腳根部時，開通驅動波形振蕩幅值及振蕩頻率明顯減少，關斷驅動波形振蕩幅值也明顯減少。

探頭接引腳根部與遠離根部