六角形SiGe合金的發(fā)射非常有效，適合開(kāi)始生產(chǎn)全硅激光器。但直到現(xiàn)在，還不能使它們發(fā)光。Bakkers團(tuán)隊(duì)正在通過(guò)減少雜質(zhì)和晶體缺陷的數(shù)量，設(shè)法提高了六角硅鍺外殼的質(zhì)量，當(dāng)用激光激發(fā)納米線時(shí)，他們可以測(cè)量新材料的效率。
圖源：埃因霍溫科技大學(xué)
AlainDijkstra是第一作者，也是負(fù)責(zé)測(cè)量光發(fā)射的研究人員，他說(shuō)：“我們的實(shí)驗(yàn)表明，這種材料結(jié)構(gòu)正確，沒(méi)有缺陷，它能非常有效地發(fā)光?！?
Bakkers說(shuō)： “到目前為止，我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了幾乎可以與磷化銦和砷化鎵相媲美的光學(xué)性能，并且材料的質(zhì)量正在急劇提高。如果運(yùn)行平穩(wěn)，我們可以在2020年制造出硅基激光器。這將使光學(xué)功能與主流電子平臺(tái)緊密集成，這將打破片上光通信和基于光譜學(xué)的價(jià)格合理的化學(xué)傳感器的開(kāi)放前景?！?
如此一來(lái)，成功研發(fā)出硅激光器，也只是時(shí)間問(wèn)題。
