圖5中的模塊原理圖非常簡(jiǎn)單。具有如此低的周邊元件數(shù)目，所得到的設(shè)計(jì)將占用極小的空間。圖6所示為L(zhǎng)MZM33606在多個(gè)輸入電壓下的負(fù)載電流效率。

圖 6：LMZM33606效率

良好的線(xiàn)路和負(fù)載調(diào)節(jié)

儀表系統(tǒng)的輸入電壓可能為18 V至36 V的未經(jīng)調(diào)壓的電壓。所有軌道的典型線(xiàn)路調(diào)節(jié)率可為0.1%至0.2%。在各種控制架構(gòu)中，峰值電流模式(PCM)架構(gòu)是可實(shí)現(xiàn)這種嚴(yán)格要求的架構(gòu)。如圖7所示，通過(guò)檢測(cè)通過(guò)高側(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的電流，PCM架構(gòu)起作用，以產(chǎn)生比較斜坡。

圖 7：PCM架構(gòu)的簡(jiǎn)化原理圖

隨著輸入電壓不斷變化，首先要改變電流斜率。它作為系統(tǒng)的前饋，在輸入電壓變化時(shí)校正占空比。因此，占空比的瞬時(shí)更新有助于實(shí)現(xiàn)極佳的線(xiàn)路調(diào)節(jié)。LMZM33606和LMZM33602基于PCM架構(gòu)，這極其適合此類(lèi)系統(tǒng)。

圖8所示為L(zhǎng)MZM33606的線(xiàn)路和負(fù)載調(diào)節(jié)。對(duì)于3A負(fù)載，線(xiàn)路穩(wěn)壓率為0.02%;對(duì)于標(biāo)稱(chēng)24 V輸入，負(fù)載調(diào)節(jié)率為0.1%。

圖 8：LMZM33606線(xiàn)路和負(fù)載調(diào)節(jié)

除節(jié)省空間和優(yōu)化性能外，電源模塊還提供其它優(yōu)勢(shì)。它們集成了高質(zhì)量無(wú)源元件，可在高溫下進(jìn)行大量測(cè)試，以確保長(zhǎng)壽命和可靠性。它們的特性使電源模塊對(duì)實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備更具吸引力。