1.準(zhǔn)備一根光纖，從底部開始切割約8mm。

                       2.使光纖保持45°角。

                       3.將切割后的一端沿凹槽按一個(gè)方向推動(dòng)把污染物清除出V型槽。

                       4.如果V型槽太臟，則先用蘸有無水酒精的細(xì)棉簽沿一個(gè)方向清潔V型槽的底部。

注意事項(xiàng)

★當(dāng)使用環(huán)境的海拔變化較大時(shí)，熔接前應(yīng)進(jìn)行電弧校準(zhǔn)或電弧測試，以獲取較低的損耗。

電弧校準(zhǔn)步驟：

1.選取單模光纖熔接模式，在功能測試菜單中選中“電弧校準(zhǔn)”項(xiàng)，按回車鍵進(jìn)入。

2.制備左右兩根單模光纖并放入熔接機(jī)中，確保落槽良好。

3.再次按回車件，熔接機(jī)將將光纖推到屏幕中心，設(shè)置好間隙，完成調(diào)芯；

4.電極放電產(chǎn)生電弧，但右光纖不再推進(jìn)，因此兩光纖的端頭被燒成球狀；

5.熔接機(jī)根據(jù)兩光纖被高溫熔化變形情況推算出電弧強(qiáng)度是否合適，并給出校準(zhǔn)是否完成的提示；如 “提示校準(zhǔn)完成”，則代表電弧校準(zhǔn)成功。

6.如果校準(zhǔn)未完成，請重復(fù)步驟2）～5），直至熔接機(jī)提示校準(zhǔn)成功。

電弧測試步驟：

1.選取單模光纖熔接模式，在功能測試菜單中選中“電弧測試”項(xiàng)，按回車鍵進(jìn)入。

2.制備左右兩根單模光纖并放入熔接機(jī)中，確保落槽良好。

3.再次按回車件，熔接機(jī)將將光纖推到屏幕中心，設(shè)置好間隙，完成調(diào)芯；

4.電極放電產(chǎn)生電弧，但右光纖不再推進(jìn)，因此兩光纖的端頭被燒成球狀；電弧測試結(jié)束，并給出以下信息：“左/右移A 電流B”，“左/右移A”表明電弧位置偏右/左的情況，“電流B”標(biāo)明放電電弧大小，B值越大標(biāo)明放電電流越大。電弧左/右移在5um之內(nèi)，無需調(diào)整，電流在008～018之間較為合適。電弧位置調(diào)整對技術(shù)要求較高，應(yīng)由專業(yè)人員進(jìn)行。

5.若電流值B小于8，請將對應(yīng)熔接參數(shù)組中“預(yù)熔電流”和“熔接電流”同時(shí)增加（8-B）*2；若電流值B大于18，請將對應(yīng)熔接參數(shù)組中“預(yù)熔電流”和“熔接電流”同時(shí)減?。?/span>B-15）*1.5（四舍五入取整）。

6.調(diào)整好熔接參數(shù)后，按菜單鍵逐級返回，再按3～5次【ARC】鍵以穩(wěn)定放電系統(tǒng)。重復(fù)以上步驟，使得放電流值處于8～18之間。