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國基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技術(shù)攻關(guān)，打造汽車電子中國“芯”

超凈廠房里，科研人員坐在電腦前操控，一臺臺精密儀器自動化運行；生產(chǎn)車間里，比繡花針還細的測試探針在芯片間高速移動，這是自動測試臺在對一片已完工的6英寸碳化硅晶圓進行測試……走進國基南方、55所碳化硅產(chǎn)線

2024-03-01

三安意法半導(dǎo)體項目加速投產(chǎn)，預(yù)計年內(nèi)亮燈通線

作為重慶在半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一旗艦項目，位于西部（重慶）科學(xué)城的三安意法半導(dǎo)體項目在春節(jié)期間不停工，建設(shè)取得快速進展，預(yù)計年內(nèi)亮燈通線，比原計劃提前2個月。三安意法半導(dǎo)體項目，包括一家專業(yè)從事碳化硅外延、

2024-02-22

第三代半導(dǎo)體材料將大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車和消費類電子領(lǐng)域

不同于第一代與第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在導(dǎo)熱率、抗輻射能力、擊穿電場能力、電子飽和速率等方面優(yōu)勢突出，更適用于高溫、高頻、抗輻射的場合。有關(guān)專家指出，第三代半導(dǎo)體器件將在新能源汽車、消費類電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。

2018-06-29

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進展

在國家863計劃支持下，經(jīng)過中國電子科技集團公司第四十八研究所為牽頭單位的課題組不懈努力，成功研制出適用于4-6英寸SiC材料及器件制造的高溫高能離子注入機、單晶生長爐、外延生長爐等關(guān)鍵裝備并實現(xiàn)初步應(yīng)用。該課題近期通過科技部驗收，研究成果有力保障了我國SiC電力電子器件產(chǎn)業(yè)“材料—裝備—器件”自主可控發(fā)展。

2018-05-10