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面向未來,電源技術(shù)該走向何方?

電子繁榮的時代,電源技術(shù)將是永遠(yuǎn)的支柱。電源技術(shù)追求高效率、高可靠性的目標(biāo)從未改變。隨著新一代半導(dǎo)體材料的逐步成熟,新應(yīng)用場景的登場,電源行業(yè)也在接受技術(shù)的變革和洗禮。


面向未來,電源技術(shù)繼續(xù)追求著功率密度的增加、整流技術(shù)的提升和分布式電源結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,與此同時,也更關(guān)心電源的數(shù)字化和智能化、設(shè)計工具的人性化,以及如何適應(yīng)快速多變的市場環(huán)境。本文盤點各主流廠商的前沿產(chǎn)品,以供各方未來設(shè)計與研發(fā)參考。


GaN技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用前沿




GaN技術(shù)在2018年取得很大的進展,很多應(yīng)用場景都開始出現(xiàn)GaN器件。作為最早研究GaN技術(shù)的廠商,英飛凌推出了600V GaN HEMT產(chǎn)品線——CoolGaN。該器件架構(gòu)建立在低成本的硅基材料上,采用了橫向架構(gòu),很容易構(gòu)建半橋模塊、全橋模塊;另外,在本征Al GaN層的頂部使用p摻雜的Al GaN門極。該器件具有非常極低的柵極電荷和輸出電荷,線性的電容特性和源到漏電壓,易于進行ZVS拓?fù)湓O(shè)計;同時,也沒有本征體二極管架構(gòu)和相關(guān)的儲備恢復(fù)問題。CoolGaN的增強模式概念提供快速的開啟和關(guān)閉速度,以及在芯片或封裝級別上的更佳集成路徑,可實現(xiàn)更簡單且更具成本效益的半橋拓?fù)洹T鰪娔J礁m合多芯片集成。



600V CoolGaN系列是根據(jù)特定的基于GaN量身定制的規(guī)范工藝基礎(chǔ)上實現(xiàn)的, 該工藝遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過硅功率器件的標(biāo)準(zhǔn)。600V CoolGaN適用于電信、 數(shù)據(jù)通信、 服務(wù)器SMPS以及大多數(shù)其他工業(yè)和消費類應(yīng)用。CoolGaN產(chǎn)品系列采用高性能SMD封裝,以充分發(fā)揮GaN的優(yōu)勢。英飛凌還專門為CoolGaN配備了驅(qū)動器——1EDi-G1 EiceDriver系列,其具有獨立于占空比的開關(guān)特性,兩個關(guān)斷電壓,即使對于第一個脈沖,也可使用負(fù)柵極驅(qū)動電壓。


無線充電:當(dāng)前市場的最大熱點



無線充電有Qi和PMA兩個標(biāo)準(zhǔn)。其中Qi標(biāo)準(zhǔn)由于得到了蘋果等公司的支持,已經(jīng)成為主流標(biāo)準(zhǔn)。意法半導(dǎo)體(ST)的一系列TX端產(chǎn)品也支持Qi協(xié)議,功率范圍是2~15w。其中,以支持EPP規(guī)范的15W發(fā)射端控制器STWBC-EP為代表,該控制器的待機功耗僅16mW,端到端的效率能夠達到80%。此外,位置檢測、FOD、Q因數(shù)測量的功能也一應(yīng)俱全。該產(chǎn)品集成有一個DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器和控制器,還有Qi充電算法固件,開發(fā)者無需在設(shè)計中集成軟件和使用額外微控制器,即可完成方案設(shè)計。STWBC-EP的架構(gòu)讓設(shè)計人員能夠靈活地優(yōu)化外部半橋及相關(guān)柵極驅(qū)動器,支持5~12V的電源電壓,確保兼容USB快充。這款芯片還采用ST的獨有技術(shù),給用戶更好使用體驗。這些獨有技術(shù)包括可以提升主動存在檢測性能的ST專利技術(shù),當(dāng)一個兼容設(shè)備放在充電區(qū)時,這項技術(shù)可以快速喚醒系統(tǒng)。此項專利技術(shù)還能提升異物檢測(FOD)性能,當(dāng)含有金屬的物體距充電器過近時,這項檢測功能可以自動切斷電源,防止過熱現(xiàn)象發(fā)生。


Flex:板載電源的新技術(shù)



收購了愛立信電源模塊所成立的Flex電源模塊部門憑借多年的積累,已是板載電源行業(yè)的領(lǐng)先者,其單模塊電源的效率達到了優(yōu)異的97.5%。Flex的產(chǎn)品覆蓋了工業(yè)、鐵路、數(shù)據(jù)中心等多個領(lǐng)域,電壓范圍從交流48V直到芯片級。該公司在2018年推出了最新的BMR481模塊,其采用了領(lǐng)先的混合調(diào)節(jié)比(HRR)技術(shù),能夠更好地利用電源系統(tǒng)在其寬輸入電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)大功率轉(zhuǎn)換。BMR481可在高環(huán)境溫度和氣流有限的環(huán)境下提供更高的可用功率,意味著可以提供高可靠性。盡管該模塊帶有標(biāo)準(zhǔn)底板,但對于最具挑戰(zhàn)性的散熱環(huán)境,它也可以連接到散熱器或冷卻板上。因此,BMR481不僅適用于中間總線轉(zhuǎn)換、動態(tài)總線電壓和分布式電源架構(gòu),還能為采用多節(jié)電池供電的高端和高功率應(yīng)用或ICT應(yīng)用中常用的整流器供電。在BMR481的基礎(chǔ)上,F(xiàn)lex將在明年推出BMR482,作為第二代直接轉(zhuǎn)換器,其輸出將達到1.8V/100A,采用AVS總線或SVID控制,最大可進行6塊并聯(lián)。作為PSA的成員,F(xiàn)lex公司的48V直接轉(zhuǎn)換DC/DC模塊可以為OCP和數(shù)據(jù)中心公司帶來很好的效益。


芯片封裝的電源解決方案



同為模塊電源廠商,Vicor公司的電源產(chǎn)品也在不斷演化,從1980年代的大功率模塊,一直發(fā)展到現(xiàn)在的芯片化封裝產(chǎn)品。細(xì)數(shù)該公司的產(chǎn)品,包括了專有的ZVS及ZCS轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),系統(tǒng)級封裝(SiP)LGA模塊,VI Chip,轉(zhuǎn)換器級封裝(Chip)產(chǎn)品和VIA(集成式電源適配器)解決方案。Chip是Vicor為了應(yīng)對散熱挑戰(zhàn)而推出的封裝技術(shù),它可以像晶圓制造一樣,利用100%的PCB材料將各個轉(zhuǎn)換器排列起來,而沒有引線/引腳連接占用的空間。然后,陣列被鋸成一個個“芯片級”元件,沒有多余的非增值封裝,從而最大限度減少了客戶設(shè)計所使用的空間。VIA則是一個更大的功率元件平臺,提供一個熱適應(yīng)的、靈活、高密度、低成本外殼給Vicor的前端(FE)功率轉(zhuǎn)換引擎,其中可整合EMI濾波器、瞬態(tài)電壓抑制(TVS)、浪涌保護與數(shù)字通信。針對小型化的應(yīng)用,Vicor還有SIP、QFN和SM-ChiP三種封裝。對于最熱門的48V到CPU供電單項轉(zhuǎn)換器,Vicor也有相應(yīng)的產(chǎn)品(VTM),日本的超算就使用了Vicor的電源方案。VTM是十分快速,功率密度和效率均極高的電流倍增器,可以符合高端功率應(yīng)用的要求。其主要優(yōu)點是幾乎可以免除負(fù)載電容,大大提升整個系統(tǒng)的密度和可靠性。


面向工業(yè)設(shè)備的解決方案



ROHM公司在本次大會上的演講主題是面向工業(yè)設(shè)備的電源解決方案。能源與汽車是其目前最為關(guān)注的領(lǐng)域,主要產(chǎn)品包括了門極驅(qū)動器、IPM、AC/DC和DC/DC。ROHM的隔離式門級驅(qū)動器主要采用了典型的3相逆變器電路,其隔離技術(shù)采用了無線圈變壓器,大幅減小了占板面積,輸入輸出延遲也大幅減小,魯棒性也很高。非隔離式則采用了SOI技術(shù),可以承受600V高壓。IPM方面,ROHM的目標(biāo)是使用SiC材料,并逐步應(yīng)用在工業(yè)領(lǐng)域。而且,ROHM還在力推SiC的AC/DC。目前,ROHM已有AC/DC控制器BD768xFJ-LB加SiC MOSFET SCT2H12的整體解決方案。次級側(cè)同步整流控制器也是ROHM主推的系列,這種產(chǎn)品比傳統(tǒng)的整流電路降低了90%的功率損耗,無需單獨進行熱沉降。最后,在工業(yè)變頻器等應(yīng)用場合,大功率設(shè)備會需要絕緣型電源/隔離型電源,ROHM為此推出了無需光電耦合器BD7F系列,因為無需光電耦合器,反激式構(gòu)建的部件數(shù)量減少一半,可同時實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化、節(jié)電、高可靠性。此外,本系列采用新開發(fā)的自適應(yīng)導(dǎo)通時間控制,改善了隔離型電源控制IC的課題中的負(fù)載響應(yīng)特性。


Microchip:擁抱數(shù)字化




在擁抱數(shù)字電源技術(shù)的路上,Microchip走得很堅定。數(shù)字電源的可控制性、及時性和可靠性使得各芯片公司都加大了投入。Microchip為數(shù)字電源提供了評估板、設(shè)計工具和具有外設(shè)的控制器。適用于數(shù)字電源的MPLAB入門工具包,低電壓PFC開發(fā)板和一系列參考設(shè)計構(gòu)成了評估板和參考設(shè)計系列。為了便于開發(fā),Microchip的數(shù)字電源設(shè)計套件還具有代碼配置器、補償器庫,只需簡單的步驟就可以開發(fā)出強大的數(shù)字電源產(chǎn)品。至于數(shù)字電源產(chǎn)品本身,Microchip本身也有一個強大的產(chǎn)品線,以dsPIC33EP GS為例,包括多達5個12位ADC(一共多達22個ADC輸入),可提供16 Msps的總吞吐量和300納秒的ADC延遲;還有四個模擬比較器均配有12位DAC,用于精度要求更高的設(shè)計;兩個片上可編程增益放大器可用于電流檢測以及其他精密測量。Microchip不斷提高控制器的性能,使之能加快算法執(zhí)行速度,并提高開關(guān)頻率,最大限度發(fā)揮數(shù)字電源的優(yōu)勢。


當(dāng)前電源隔離的4大主流技術(shù)



目前,隔離技術(shù)的主流有四種:電容式、巨磁阻、磁和光,芯片大廠Silicon Labs所采用的是電容式。其新產(chǎn)品Si8xxxx使用的隔離介質(zhì)是二氧化硅,優(yōu)點是有經(jīng)驗證的、好的控制工藝,已經(jīng)使用了超過30年,低缺陷率,電解質(zhì)強度非常高。Silicon Labs的隔離器產(chǎn)品線已經(jīng)包括了多種產(chǎn)品,包括了數(shù)字隔離器產(chǎn)品家族,面向不同系統(tǒng)的IsoDriver產(chǎn)品系列,以及模擬隔離器和隔離ADC。


隔離器在工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮著巨大的作用,如PLC系統(tǒng),有128個通道,現(xiàn)場輸入可能是流出或吸入類型,光耦不能提供足夠高的速度用于伺服電機控制,且光耦易于受到溫度和老化的影響而性能下降。而Si838x就能解決這個問題,它能節(jié)省大量電路板面積,具有雙極輸入能力,2Mbps速率可提供可靠的伺服控制,在整個長壽命周期都能提供穩(wěn)定和可靠的性能。


除此之外,Silicon Labs公司還是頭一家為電動汽車提供數(shù)字隔離器的廠家,其產(chǎn)品滿足汽車級的加工流程,具有DPPM保證,PSW/PCN處理,VDA和16949審計準(zhǔn)備就緒?,F(xiàn)在,已有多家電動車OEM廠商采用其產(chǎn)品。在EV/HEV中的電池管理系統(tǒng),電池充電器(AC充電站或OBC)和電機驅(qū)動牽引逆變器中都有Silicon Labs產(chǎn)品的身影。

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