據(jù)“珠海高新區(qū)”消息，近日，珠海華芯微電子有限公司（以下簡稱“華芯微電子”）首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式調(diào)通，并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓，將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

據(jù)介紹，該砷化鎵晶圓具備高增益、高效能的特性，可應用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設備。

資料顯示，華芯微電子于2023年在珠海高新區(qū)成立，專注于化合物半導體晶圓代工業(yè)務，面向手機、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達等高中低頻射頻應用終端市場。其格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目是廣東省重點項目、珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項目，將是廣東首家砷化鎵晶圓代工廠，致力于解決射頻晶圓代工“卡脖子”問題。該項目總投資33.87億元，分兩階段建設，滿產(chǎn)產(chǎn)能15000片/月，能帶動近千人就業(yè)。

格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目自開工建設以來，在廣東省、珠海市、珠海高新區(qū)以及合作伙伴的大力支持下，華芯微電子與格力集團等項目設計、建設單位密切配合，瞄準節(jié)點、高效推進、合力攻堅，僅用184天便完成項目主體封頂，180天完成設備移入安裝和二次配工程、90天完成設備調(diào)試和生產(chǎn)線通線，預計2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目以化合物半導體晶圓代工技術創(chuàng)新主導，致力于打造具有國際領先水平的化合物半導體工藝平臺，推出高品質(zhì)、高良率的制程技術，全力協(xié)助國內(nèi)企業(yè)實現(xiàn)射頻芯片國產(chǎn)化制造，成為中國最大的射頻晶圓代工廠，推動射頻科技自立自強。

需要指出的是，華芯微電子是華芯（珠海）半導體有限公司旗下子公司，華芯（珠海）半導體有限公司主營數(shù)通VCSEL芯片，是全球第四家、國內(nèi)首家以IDM模式實現(xiàn)25G&56G PAM4 VCSEL 芯片大規(guī)模出貨的廠商，在光芯片領域具有領先地位，產(chǎn)品廣泛應用于光通信、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、移動穿戴裝置、光傳感裝置等新興產(chǎn)業(yè)場景。