研究背景
自1949年新中國(guó)成立，我國(guó)便開(kāi)始孕育中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，隨著科技更新迭代迅速，目前，我國(guó)已成為全球第一大半導(dǎo)體市場(chǎng)，并且保持較高的增長(zhǎng)速度。
科技創(chuàng)新是第一生產(chǎn)力， TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是同惠電子針對(duì)半導(dǎo)體材料及器件生產(chǎn)與研發(fā)的分析儀器。
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀創(chuàng)新性地采用了雙CPU架構(gòu)、Linux底層系統(tǒng)，10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界面、 內(nèi)置使用說(shuō)明及幫助等新一代技術(shù)，測(cè)試頻率為10kHz-2MHz，VGS電壓可達(dá)±40V，VDS電壓可達(dá)200V/1500V/3000V，足以滿足二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體器件CV特性測(cè)試分析，適用于生產(chǎn)線快速分選、自動(dòng)化集成測(cè)試及滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及分析。
?一體化設(shè)計(jì)，四種寄生參數(shù)同屏顯示，讓細(xì)節(jié)一覽無(wú)遺
10.1英寸觸摸屏、1280*800分辨率，Linux系統(tǒng)、中英文操作界面，支持鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、LAN接口，帶來(lái)了無(wú)以倫比的操作便捷性。MOSFET最重要的四個(gè)寄生參數(shù)：Ciss、 Coss、Crss、Rg在同一個(gè)界面直接顯示測(cè)量結(jié)果，并將四個(gè)參數(shù)測(cè)試等效電路圖同時(shí)顯示，一 目了然。多至6個(gè)通道測(cè)量參數(shù)可快速調(diào)用，分選結(jié)果在同一界面直接顯示 。
?列表測(cè)試，靈活組合
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè) 通道、4個(gè)測(cè)量參數(shù)的測(cè)試及分析，列表掃描模式支持不同通道、不同參數(shù)、不同測(cè)量條件任意組合，并可設(shè)置極限范圍，并顯示測(cè)量結(jié)果 。測(cè)量參數(shù)可快速調(diào)用，分選結(jié)果在同一界面直接顯示 。
?曲線掃描功能（選件）
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析，可以對(duì)數(shù)、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描，可同時(shí)顯示多條曲線：同一參數(shù)、不同Vg 的多條曲線；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線 。
?簡(jiǎn)單快捷設(shè)置
參數(shù)可以任意選擇，可打開(kāi)及關(guān)閉，關(guān)閉參數(shù)可有效節(jié)約時(shí)間和數(shù)據(jù)傳輸；延時(shí)時(shí)間可自動(dòng)設(shè)置或自行設(shè)置；柵極電阻可選漏源短路或漏源開(kāi)路。采用圖形化設(shè)置界面，功能參數(shù)對(duì)應(yīng)原理圖設(shè)置一目了然。
?10檔分選及可編程HANDLER接口
儀器提供了10檔分選，為客戶產(chǎn)品質(zhì)量分級(jí)提供了可能，分選結(jié)果直接輸出至HANDLER接口。在與自動(dòng)化設(shè)備連接時(shí)，怎么配置HANDLER接口輸出，一直是自動(dòng)化客戶的難題，TH510系列將HANDLER接口腳位、輸入 輸出方式、對(duì)應(yīng)信號(hào)、應(yīng)答方式等完全可視化，讓自動(dòng)化連接更簡(jiǎn)單。
?支持定制化，智能固件升級(jí)方式
同惠儀器對(duì)于客戶而言是開(kāi)放的，儀器所有接口、指令集均為開(kāi)放設(shè)計(jì)，客戶可自行編程集成或進(jìn)行功能定制，定制功能若無(wú)硬件更改，可直接通過(guò)固件升級(jí)方式更新。儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級(jí)等，都可以通過(guò)升級(jí)固件(Firmware)來(lái)進(jìn)行更新，而無(wú)需返廠進(jìn)行。固件升級(jí)非常智能，可以通過(guò)系統(tǒng)設(shè)置界面或者文件管理界面進(jìn)行，智能搜索儀器內(nèi)存、外接優(yōu)盤(pán)甚至是局域網(wǎng)內(nèi)升級(jí)包，并自動(dòng)進(jìn)行升級(jí)。
?半導(dǎo)體元件寄生電容知識(shí)
在高頻電路中，半導(dǎo)體器件的寄生電容往往會(huì)影響半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)特性，所以在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體元件時(shí)需要考慮下列因數(shù)在高頻電路設(shè)計(jì)中往往需要考慮二極管結(jié)電容帶來(lái)的影響；MOS管的寄生電容會(huì)影響管子的動(dòng)作時(shí)間、驅(qū)動(dòng)能力和開(kāi)關(guān)損耗等 多方面特性；寄生電容的電壓依賴(lài)性在電路設(shè)計(jì)中也是至關(guān)重要，以MOSFET為例。
攜手同心，惠及未來(lái)，我們一定要以堅(jiān)定的信心樹(shù)立發(fā)展的意識(shí)，持續(xù)科技創(chuàng)新，以務(wù)實(shí)的心態(tài)穩(wěn)步前行。
