近年來，隨著各種新型化合物半導體材料技術(shù)如氮化鎵等器件的蓬勃發(fā)展，器件尺寸的不斷縮小，電場強度和電流密度卻相對增加。器件應用范圍不斷擴大，應用場景愈來愈復雜，導致集成電路的設計、優(yōu)化與制造越來越困難。由此，準確的器件測試不但對模型建模分析尤其重要，并且已經(jīng)成為器件工藝優(yōu)化本身和后續(xù)電路設計不可或缺的環(huán)節(jié)。

本解決方案基于中電儀器的3672系列高性能多功能矢量網(wǎng)絡分析儀平臺。用于微波功率半導體芯片On-Wafer設計測試，可直接測試增益、增益壓縮、有源交調(diào)等參數(shù)。兼容市場主流的負載牽引設備，支持有源諧波牽引；兼容市場主流探針臺，支持探針臺及探針定制；兼容PHD諧波模型的半導體設計和研制，提供雙頻非線性模型W參數(shù)；兼容市場主流設計仿真軟件，提供設計仿真工具。提供器件測試、數(shù)據(jù)分析和模型提取的設計測試解決方案。

功能要點

增益及常規(guī)S參數(shù)測試功能；

二維增益壓縮快速測試功能；

有源互調(diào)快速測試功能；

脈沖S參數(shù)一體化測試功能；

八通道頻譜模式快速測試功能；

無源負載牽引測試功能；

有源負載牽引測試功能；

基于冷源法的等噪聲圓測試功能；

熱態(tài)參數(shù)測試測試功能；

放大器功率增益效率測試功能；

功能簡介

優(yōu)化的等功率圓、等效率圓、等增益圓的快速遍歷；

模塊化的系統(tǒng)配置頁面；

在片校準過程控制及數(shù)據(jù)分析功能，降低人為因素影響，提高測試效率；

支持Cascade/MPI等多種型號探針臺；

支持獨有的W參數(shù)模型，兼容X參數(shù)及Cardiff模型；

AWR仿真及半實物仿真，兼容ADS及IC/CAP；

全國快速響應的技術(shù)服務與支持。

靈活的有/無源負載牽引測試

在片校準測試實時分析與控制

多種靈活校準方案及自研校準件

支持矢量網(wǎng)絡分析儀自帶校準程序，提供TRL、SOLT等算法，使用自主研制的校準件，并經(jīng)過國家計量科學研究院完成溯源定標。

二維增益壓縮快速測試

脈沖S參數(shù)快速測試功能

內(nèi)部集成調(diào)制解調(diào)，可進行窄帶和寬帶脈沖測試，提供掃頻、包絡和脈沖點三種測試模式，脈沖過度時間可達10ns。

互調(diào)失真及頻譜分析的快速測試

功率增益效率快速測試

功率半導體的建模數(shù)據(jù)分析

對測試數(shù)據(jù)進行分析，提供腳本解釋執(zhí)行功能。

兼容IC-CAP語法及模型規(guī)范。

兼容多種型號探針臺

自研探針

可擴展至500GHz

全國快速響應的技術(shù)服務與支持

采購方式靈活，支持整套系統(tǒng)采購和在原有設備基礎上集成升級。

可進行快速技術(shù)支持響應。

功能

增益及常規(guī)S參數(shù)測試功能；

二維增益壓縮快速測試功能；

有源互調(diào)快速測試功能；

脈沖S參數(shù)一體化測試功能；

八通道頻譜模式快速測試功能；

無源負載牽引測試功能；

有源負載牽引測試功能；

基于冷源法的等噪聲圓測試功能；

熱態(tài)參數(shù)測試功能；

放大器功率增益效率測試；

支持Cascade/MPI等多種探針臺；

支持主流功率半導體建模仿真軟件；

支持主流的行為模型，獨家發(fā)布W參數(shù)模型；

微波探針臺與探針定制；

支持功率半導體材料微波顯微測試；

…

應用

常規(guī)功率半導體器件S參數(shù)測試；

功率半導體器件建模；

功率半導體管芯及芯片的在片測試；

超寬帶大功率寬禁帶半導體設計；

放大器的有源負載牽引測試；

THz頻段芯片及器部件的在片研究；

功率半導體材料的失效分析。